第二百八十六章 浸润式光刻机技术路线的独苗（2/4）

胡正明说：“你支持他那就好，老实说不管是本坚还是老关，大家会来新芯，多少都是之前的职业生涯有点不得志。

老关是因为被合伙人给赶走的，你应该比较清楚，本坚和你沟通的没那么多，他又比较沉默寡言，除了聊技术能多说两句外，平时很少聊自己的事情。

我和本坚认识有大概十六年时间了，我还记得当时应该是八十年代年的事情，那时候开一个研讨会，本坚作为IBM的技术专家来做介绍，他的主题是未来芯片制造领域继续发展下去会遇到什么瓶颈。

当时芯片制造的制程还是一千纳米，哦没错，是87年的时候，然后本坚当时就提出了如何突破这些瓶颈，里面就包括浸润法。当时的办法有很多，没有人注意到他的方法。

有点讲远了，刚刚说本坚在IBM不得志，是因为他在IBM的时候做的是深紫外光，而那时候IBM的光学部门主要研究方向是X光，这也导致他其实并没有那么得志。

不然他也不会在五十岁的时候申请IBM的内部退休创业。

因此本坚一直认为芯片制程想要突破，光源是关键，现在的光源是深紫外光，而要想从深紫外光到极紫外光，浸润法是关键。”

不得不说林本坚的技术嗅觉极其敏锐，极紫外光是芯片制程进入到10nm下的关键技术，而如果继续采取干式光刻机，极紫外光导致的问题无法解决。

当新芯从周新到胡正明再到林本坚，这一条线的人都达成了共识要走浸润式光刻机路线时，新芯在光刻机领域的主要对手们都在朝157nm干式光刻机领域发起冲锋。

当前90nm制程靠的是193nm波长的干式光刻机，这一波长的光源极限就是65nm，几乎不可能再往下了。

业内在实验室中已经对此进行过了验证，要想继续往下，那就得换光源，产业界和学术界想了各种各样的办法，这些办法都指向了一个方向换光源，换波长更短的光源。

可以很明确的说如果没有林本坚，ASML一定会继续往干式光刻机方向发展，因为他们在2000年的时候收购了SVG，一家专注于157nm波长光源的公司，是在这一技术路线上最接近商业化量产的公司。

ASML在157nm干式光刻机上投入了大量费用，如果不是林本坚先说服了台积电的总裁蒋尚义，然后由林本坚出席在布鲁塞尔举办的157nm波长的光刻机技术研讨会上说服了大多数专家。

后来依靠台积电，林本坚完成了浸润式光刻机的可行性研究，ASML压根不会走这一技术路线。

历史的拐点，导致当前全球新芯科技是唯一在浸润式光刻机上投入资源的厂商。

周新根据自己了解到的行业情况，颇有种风云变化的感觉，他带来的影响让ASML进入到了一个前景有限的技术路线里去了。

靠着之前的技术积累，ASML、尼康、佳能靠着干式光刻机和新的光源能在45nm都赶上，但是到了45nm之后，干式光刻机的技术路线一定会出问题，问题就是无论如何优化工艺，良品率都迟迟上不去。

当然不排除，他们跟着新芯科技去走浸润式光刻机的路线，但是这也意味着新芯积累的专利，构建的专利墙可以向他们收高昂的专利费用。

“马克，你好，脸聊做的很不错。”周新回到旧金山之后和扎克伯格见了一面。